Browsing by Author Knauer, A.

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2013Cathodoluminescence and TEM investigations of structural and optical properties of AlGaN on epitaxial laterally overgrown AlN/sapphire templatesZeimer, U.; Mogilatenko, A.; Kueller, V.; Knauer, A.; Weyers, M.
2009Entwicklung und Erprobung neuer Instrumente zur Bildung von Verwertungs- und Transfernetzen innerhalb der Leibniz-Gemeinschaft: Leibniz WideBaSe Research : AbschlussberichtWeyers, Markus; Brunner, F.; Hübener, N.; Knauer, A.; Küller, V.; Petzke, T.; Reentilä, O.; Tessaro, T.; Wollweber, J.; Hartmann, C.; Dittmar, A.; Nitschke, A.; Ziem, M.; Lange, P.; Jendritzki, U.
2013Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm : Projekt-Abschlussbericht ; Wachstumskern Berlin WideBaSe, Verbundprojekt 1: Leistungs-LEDs 300 - 350 nm, Teilprojekt C: Entwicklung von Epitaxieprozessen und Prozessierungsschritten für Leistungs-LEDs 300 - 350 nm ; Berichtszeitraum: 01.07.2010 - 31.06.2013Knauer, A.; Küller, V.; Einfeldt, S.
2011Epitaxie, Herstellung, und Charakterisierung von III-N basierenden Deep-UV LEDs mit Schwerpunkt auf dem UV-B bis UV-C, Teilvorhaben : Projekt-Abschlussbericht ; im Verbundvorhaben: Deep-UV LEDs auf der Basis von (AlGaln)N/GaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C WellenlängenbereichWeyers, M.; Knauer, A.; Einfeldt, Sven; Rodriguez, Hernan; Kneissl, M.; Knüller, V.; Tessaro, T.; Petzke, T
2000Förderschwerpunkt Laser 2000: Grundlegende Untersuchungen zur hochgenauen, berührungslosen laserinterferometrischen Messung großer Längen im Maschinenbau, Teilvorhaben: Grundlegende Untersuchungen leistungsstarker durchstimmbarer Halbleiterlaserdioden : SchlußberichtErbert, G.; Brugge, F.; Fechner, I.; Fredrich, D.; Gielow, M.; Hofmann, L.; Klehr, A.; Klein, A.; Krause, A.; Knauer, A.; Olschewsky, R.; Oster, A.; Rechenberg, I.; Ressel, P.; Sebastian, J.; Selent, R.; Smirnitzki, V.; Tessaro, T.; Thiemann, M.; Thies, A.; Vogel, K.; Wenzel, H.; Weyers, M.; Würfel, J.; Wochatz, P.
2001Förderschwerpunkt NOVALAS : Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern, Teilvorhaben: Hochleistungsdiodenlaser auf der Basis von Al-freien Quantengräben und Wellenleitern im Wellenlängenbereich 800 - 1000 nm ; SchlussberichtErbert, G.; Beister, G.; Brade, P.; Fechner, I.; Fredrich, D.; Fricke, J.; Gielow, M.; Hülsewede, R.; Klein, A.; Krause, A.; Knauer, A.; Maege, J.; Pittroff, W.; Olschewsky, R.; Rechenberg, I.; Ressel, P.; Sebastian, J.; Selent, R.; Staske, R.; Schulze, H.; Sumpf, B; Tessaro, T.; Vogel, K.; Wenzel, H.; Wiechmann, S.; Weyers, M.; Würfel, J.; Wochatz, P.
2014Normally-off GaN transistors for power applicationsHilt, O.; Bahat-Treidel, E.; Brunner, F.; Knauer, A.; Zhytnytska, R.; Kotara, P.; Wuerfl, J.
2008Verbundvorhaben Femto-Diode, Teilvorhaben: Halbleiterkomponenten für kompakte Femtosekunden-Laserstrahlquellen : Projekt-Abschlussbericht ; Projekt FBH 9140, HaFemLas ; Abschlussbericht: 1.10.2004 - 30.09.2007Klehr, Andreas; Zorn, Martin; Weyers, M.; Erbert, G.; Fricke, J.; Knauer, A.; Pittroff, W.; Staske, R.; Wenzel, H.; Zeimer, U.