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Title: Reaktions-Diffusionsgleichungen in Heterostrukturen mit Anwendungen in der Halbleitertechnologie : Schlußbericht zu einem Vorhaben im BMBF-Förderprogramm Anwendungsorientierte Verbundvorhaben auf dem Gebiet der Mathematik
Authors: Hünlich, RolfGlitzky, AnnegretRöpke, Wilfried
Issue Date: 1997
Published in: Report // Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik im Forschungsverbund Berlin e.V., Volume 13, ISSN 0946-8838
Publisher: Berlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik
Abstract: Im Vorhaben wurden Beitraege zur Modellierung und Simulation relevanter Teilprozesse bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen der Nanoelektronik geleistet. Behandelt wurden vorrangig Fragestellungen,die beim Verbundpartner, dem Institut fueur Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), zur Entwicklung von SiGe--Heterojunction--Bipolartransistoren von Bedeutung waren. Schwerpunkte bildeten Fragen zur Diffusion von Fremdatomen in verspannten SiGe--Schichten sowie zu Feldeffekten bei der Diffusion elektrisch geladener Teilchen im Hochkonzentrationsfall. Gegenstand der analytischen und numerischen Untersuchungen waren verschiedene Klassen von Elektro-Reaktions-Diffusionsgleichungen in Heterostrukturen, die relevante Aufgaben aus der Halbleitertechnologie auf verschiedenen Niveaus modellieren. Hier wurden neue Aussagen zur globalen Existenz, Einzigkeit und zum asymptotischen Verhalten der Loesungen erhalten.Weiterhin wurden Diskretisierungsschemata, die Konvergenz von Naeherungsverfahren sowie die Reduktion der Modellgleichungen fuer singulaer gestoerte Faelle diskutiert.
Keywords: Systeme von Reaktions-Diffusionsgleichungen; Transport geladener Teilchen; Heterostrukturen; Existenz; Einzigkeit; Asymptotik; Konvergenz von Näherungsverfahren; Simulation von Prozessen der Halbleitertechnologie; Hetero-Bipolartransistoren
DDC: 510
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