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dc.contributor.authorHünlich, Rolf
dc.contributor.authorGlitzky, Annegret
dc.contributor.authorRöpke, Wilfried
dc.date.accessioned2016-03-24T17:38:46Z
dc.date.available2019-06-28T08:07:06Z
dc.date.issued1997
dc.identifier.urihttps://oar.tib.eu/jspui/handle/123456789/2472
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.34657/3071-
dc.description.abstractIm Vorhaben wurden Beitraege zur Modellierung und Simulation relevanter Teilprozesse bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen der Nanoelektronik geleistet. Behandelt wurden vorrangig Fragestellungen,die beim Verbundpartner, dem Institut fueur Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), zur Entwicklung von SiGe--Heterojunction--Bipolartransistoren von Bedeutung waren. Schwerpunkte bildeten Fragen zur Diffusion von Fremdatomen in verspannten SiGe--Schichten sowie zu Feldeffekten bei der Diffusion elektrisch geladener Teilchen im Hochkonzentrationsfall. Gegenstand der analytischen und numerischen Untersuchungen waren verschiedene Klassen von Elektro-Reaktions-Diffusionsgleichungen in Heterostrukturen, die relevante Aufgaben aus der Halbleitertechnologie auf verschiedenen Niveaus modellieren. Hier wurden neue Aussagen zur globalen Existenz, Einzigkeit und zum asymptotischen Verhalten der Loesungen erhalten.Weiterhin wurden Diskretisierungsschemata, die Konvergenz von Naeherungsverfahren sowie die Reduktion der Modellgleichungen fuer singulaer gestoerte Faelle diskutiert.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagedeu
dc.publisherBerlin : Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik
dc.relation.ispartofseriesReport // Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik im Forschungsverbund Berlin e.V., Volume 13, ISSN 0946-8838-
dc.subjectSysteme von Reaktions-Diffusionsgleichungen
dc.subjectTransport geladener Teilchen
dc.subjectHeterostrukturen
dc.subjectExistenz
dc.subjectEinzigkeit
dc.subjectAsymptotik
dc.subjectKonvergenz von Näherungsverfahren
dc.subjectSimulation von Prozessen der Halbleitertechnologie
dc.subjectHetero-Bipolartransistoren
dc.subject.ddc510
dc.titleReaktions-Diffusionsgleichungen in Heterostrukturen mit Anwendungen in der Halbleitertechnologie : Schlußbericht zu einem Vorhaben im BMBF-Förderprogramm Anwendungsorientierte Verbundvorhaben auf dem Gebiet der Mathematik
dc.typebook-
dc.typeText-
dc.description.versionpublishedVersioneng
local.accessRightsopenAccess-
wgl.contributorWIASger
wgl.subjectMathematikger
wgl.typeBuch / Sammelwerkger
dcterms.bibliographicCitation.journalTitleReport / Weierstraß-Institut für Angewandte Analysis und Stochastik-
local.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.34657/3071-
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